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四氯化碳和三氯硅烷反应
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硅单质及其化合物应用范围很广.三氯硅烷(SiHCl3)还原法是目前工业制高纯度硅的主要方法,生产过程如下图:
根据题意完成下列备题:
(1)硅在元素周期表的位置______,其最外层有______种能量不同的电子.
(2)硅的气态氢化物为SiH4,其空间构型为______;三氯硅烷中某些元素最高价氧化物对应水化物的酸性______>______(填化学式).
(3)写出三氯硅烷与氢气反应的化学反应方程式:______.
(4)自然界中硅酸盐种类多,结构复杂,通常用二氧化硅和金属氧化物的形式来表示其组成.如正长石(KALSi3O8),氧化物形式为:______.
试题答案
解:(1)硅原子结构示意图为,硅在元素周期表的位置为第三周期,第ⅣA族,最外层4个电子分布在3S、3P轨道上,能量不同;
故答案为:第三周期,第ⅣA族;2;
(4)硅的气态氢化物为SiH4,据价层电子对互斥理论得n=4,SP3杂化,分子构型为正四面体,
(3)三氯硅烷与氢气反应生成硅和氯化氢,方程式为:SiHCl3+H2Si+3HCl;Si的非金属性小于Cl,所以最高价氧化物对应水化物的酸性HClO4>H2SiO3;
故答案为:SiHCl3+H2Si+3HCl;HClO4;H2SiO3;
(4)正长石改写成氧化物的形式为:K2O?AL2O3?6SiO2,
故答案为:K2O?AL2O3?6SiO2;
分析:(1)先写出原子结构示意图,然后主族元素电子层数等于周期数,最外层电子数等于主族数,它们决定了主族元素在元素周期表中的位置;最外层4个电子分布在3S、3P轨道上;
(2)根据价层电子对互斥理论来判断;根据元素的非金属性越强,最高价氧化物对应水化物的酸性越强;
(3)根据流程图可知三氯硅烷与氢气反应生成硅和氯化氢;
(5)根据硅酸盐化学式可表示为活泼金属氧化物?金属氧化物?非金属氧化物?水进行解答;
点评:本题是一道有关硅和二氧化硅性质的综合题,难度中等,考查学生分析和解决问题的能力.
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硅单质及其化合物应用范围很广.
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅,工业上可以按如下步骤制备高纯硅.
Ⅰ.高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅;
Ⅱ.粗硅与干燥的氯气在450~500℃条件下反应制得SiCl4;
Ⅲ.SiCl4液体经精馏提纯后与过量H2在1 100~1 200℃条件下反应制得高纯硅.
已知SiCl4沸点为57.6℃,能与H2O强烈反应.1mol H2与SiCl4气体完全反应吸收的热量为120.2kJ.
请回答下列问题:
①第Ⅲ步反应的热化学方程式为2H2(g)+SiCl4(g)
1100-1200℃
.
Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1.
②整个制备纯硅的过程中必须严格控制在无水无氧的条件下.SiCl4在潮湿的空气中因水解而产生白色烟雾,其生成物是H2SiO3(或H4SiO4)和HCl;H2还原SiCl4过程中若混入O2,可能引起的后果是爆炸.
(2)二氧化硅被大量用于生产玻璃.工业上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高温下完全反应时放出CO2 44kg,生产出的玻璃可用化学式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示,则其中x=4.
(2008?广东)硅单质及其化合物应用范围很广.请回答下列问题:
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法,生产过程示意图如下:
①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式SiHCl3+H2
1357K
.
Si+3HCl.
②整个制备过程必须严格控制无水无氧.SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出配平的化学反应方程式3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl;H2还原SiHCl3过程中若混O2,可能引起的后果是高温下,H2遇O2发生爆炸.
(2)下列有关硅材料的说法正确的是ABCD(填字母).
A.碳化硅化学性质稳定,可用于生产耐高温水混
B.氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承
C.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂的,其熔点很高
D.盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃.取少量硅酸钠溶液于试管中,逐滴加入饱和氯化铵溶液,振荡.写出实验现象并给予解释生成白色絮状沉淀,又刺激性气味的气体生成,SiO32-与NH4+发生双水解反应,SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓.
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根据题意完成下列备题:
(1)硅在元素周期表的位置 ,其最外层有 种能量不同的电子.
(2)硅的气态氢化物为SiH4,其空间构型为 ;三氯硅烷中某些元素最高价氧化物对应水化物的酸性 > (填化学式).
(3)写出三氯硅烷与氢气反应的化学反应方程式: .
(4)自然界中硅酸盐种类多,结构复杂,通常用二氧化硅和金属氧化物的形式来表示其组成.如正长石(KALSi3O8),氧化物形式为: .
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(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法,生产过程示意图如下:
①写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式____________________________。
②整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出配平的化学反应方程式_________________;H2还原SiHCl3过程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。
(2)下列有关硅材料的说法正确的是__________________(填字母)。
A.碳化硅化学性质稳定,可用于生产耐高温水泥
B.氮化硅硬度大、熔点高,可用于制作高温陶瓷和轴承
C.高纯度的二氧化硅可用于制造高性能通讯材料——光导纤维
D.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的,其熔点很高
E.盐酸可以与硅反应,故采用盐酸为抛光液抛光单晶硅
(3)硅酸钠水溶液俗称水玻璃。取少量硅酸钠溶液于试管中,逐滴加入饱和氯化铵溶液,振荡。写出实验现象并给予解释_______________________________。
硅单质及其化合物应用范围很广。
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅,工业上可以按如下步骤制备纯硅:
Ⅰ.高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅与干燥的氯气在450 ℃~500 ℃ 反应制得SiCl4
Ⅲ. SiCl4液体经精馏提纯后与过量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反应制得纯硅
已知SiCl4沸点为57.6 ℃,能与H2O强烈反应。1 mol H2与SiCl4气体完全反应吸收的热量为120.2 kJ。请回答下列问题:
① 第Ⅰ步制备粗硅的化学反应方程式为 ,第Ⅲ步反应的热化学方程式是 。
②整个制备纯硅过程必须严格控制无水无氧。SiCl4在潮湿的空气中因水解而产生白色烟雾,其生成物是 ;H2还原SiCl4过程中若混O2,可能引起的后果是 。
(2)二氧化硅大量用于生产玻璃。工业上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高温下完全反应时放出CO2 44 kg,生产出的玻璃可用化学式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,则其中x= 。
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都是我自己的答案。。本人准确率真的不是很高。。而且我数学不是很好。。课堂预习1.B2.(1)a (2)∠a ∠β当堂训练1.C3.m 平分线 点C5.A其它作图的应该都没问题把你。 就这些了。
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